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| 品牌 | 冠亞恒溫 | 價格區間 | 10萬-20萬 |
|---|---|---|---|
| 產地類別 | 國產 | 應用領域 | 化工,生物產業,石油,制藥/生物制藥,綜合 |
無錫冠亞冷熱一體機典型應用于：
高壓反應釜冷熱源動態恒溫控制、雙層玻璃反應釜冷熱源動態恒溫控制、
雙層反應釜冷熱源動態恒溫控制、微通道反應器冷熱源恒溫控制；
小型恒溫控制系統、蒸飽系統控溫、材料低溫高溫老化測試、
組合化學冷源熱源恒溫控制、半導體設備冷卻加熱、真空室制冷加熱恒溫控制
型號 | SUNDI-125 SUNDI-125W | SUNDI-135 SUNDI-135W | SUNDI-155 SUNDI-155W | SUNDI-175 SUNDI-175W | SUNDI-1A10 SUNDI-1A10W | SUNDI-1A15 SUNDI-1A15W | |||||||
介質溫度范圍 | -10℃～+200℃ | ||||||||||||
控制系統 | 前饋PID ,無模型自建樹算法，PLC控制器 | ||||||||||||
溫控模式選擇 | 物料溫度控制與設備出口溫度控制模式 可自由選擇 | ||||||||||||
溫差控制 | 設備出口溫度與反應物料溫度的溫差可控制、可設定 | ||||||||||||
程序編輯 | 可編制5條程序，每條程序可編制40段步驟 | ||||||||||||
通信協議 | MODBUS RTU 協議 RS 485接口 | ||||||||||||
外接入溫度反饋 | PT100或4～20mA或通信給定（默認PT100) | ||||||||||||
溫度反饋 | 設備導熱介質 溫度、出口溫度、反應器物料溫度（外接溫度傳感器）三點溫度 | ||||||||||||
導熱介質溫控精度 | ±0.5℃ | ||||||||||||
反應物料溫控精度 | ±1℃ | ||||||||||||
加熱功率 kW | 2.5 | 3.5 | 5.5 | 7.5 | 10 | 15 | |||||||
制冷量 kW | 200℃ | 2.5 | 3.5 | 5.5 | 7.5 | 10 | 15 | ||||||
20℃ | 2.5 | 3.5 | 5.5 | 7.5 | 10 | 15 | |||||||
-5℃ | 1.5 | 2.1 | 3.3 | 4.2 | 6 | 9 | |||||||
流量壓力 max L/min bar | 20 | 35 | 35 | 50 | 50 | 75 | |||||||
2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2.5 | ||||||||
壓縮機 | 海立 | 艾默生谷輪/丹佛斯渦旋壓縮機 | |||||||||||
膨脹閥 | 丹佛斯/艾默生熱力膨脹閥 | ||||||||||||
蒸發器 | 丹佛斯/高力板式換熱器 | ||||||||||||
操作面板 | 7英寸彩色觸摸屏，溫度曲線顯示、記錄 | ||||||||||||
安全防護 | 具有自我診斷功能；冷凍機過載保護；高壓壓力開關，過載繼電器、熱保護裝置等多種安全保障功能。 | ||||||||||||
密閉循環系統 | 整個系統為全密閉系統，高溫時不會有油霧、低溫不吸收空氣中水份，系統在運行中不會因為高溫使壓力上升，低溫自動補充導熱介質。 | ||||||||||||
制冷劑 | R-404A/R507C | ||||||||||||
接口尺寸 | G1/2 | G3/4 | G3/4 | G1 | G1 | G1 | |||||||
水冷型 W 溫度 20度 | 600L/H 1.5bar~4bar G3/8 | 800L/H 1.5bar~4bar G1/2 | 1000L/H 1.5bar~4bar G3/4 | 1200L/H 1.5bar~4bar G3/4 | 1600L/H 1.5bar~4bar G3/4 | 2000L/H 1.5bar~4bar G3/4 | |||||||
外型尺寸(水）cm | 45*65*120 | 50*85*130 | 50*85*130 | 55*100*175 | 55*100*175 | 70*100*175 | |||||||
外形尺寸 (風）cm | 45*65*120 | 50*85*130 | 55*100*175 | 55*100*175 | 70*100*175 | 70*100*175 | |||||||
隔爆尺寸(風) cm | 45*110*130 | 45*110*130 | 45*110*130 | 55*120*170 | 55*120*170 | 55*120*170 | |||||||
正壓防爆(水）cm | 110*95*195 | 110*95*195 | 110*95*195 | 110*95*195 | 110*95*195 | 120*110*195 | |||||||
常規重量kg | 115 | 165 | 185 | 235 | 280 | 300 | |||||||
電源 380V 50HZ | AC 220V 50HZ 3.6kW | 5.6kW | 7.5kW | 10kW | 13kW | 20kW | |||||||
選配風冷尺寸cm | / | 50*68*145 | 50*68*145 | 50*68*145 | / | / | |||||||
70℃高低溫循環一體機-制冷加熱溫控系統
70℃高低溫循環一體機-制冷加熱溫控系統
在半導體工藝設備運行過程中，晶圓制造、芯片封裝測試等環節對溫度環境的要求較為嚴苛，不同工藝階段需準確維持特定溫區，且溫區間需實現平穩切換。動態控溫系統作為管理多段溫區的核心技術方案，通過溫度檢測、算法調控與執行機構聯動，可同時滿足半導體工藝設備中多個單獨溫區的準確控制需求，避免溫區干擾或溫度波動對半導體器件性能造成影響。
一、半導體工藝設備多段溫區的劃分與檢測方法
半導體工藝設備的多段溫區劃分需結合工藝流程與設備結構，確保每個溫區對應特定工藝需求，同時通過準確檢測捕捉各溫區溫度變化。在晶圓處理設備中，可根據功能模塊劃分溫區，溫區劃分需避免相鄰區域熱量過度傳導，通過設置隔熱層或單獨氣流通道，減少溫區間的熱干擾，確保各溫區溫度互不干擾。
溫度檢測是多段溫區管理的基礎，需針對不同溫區特性配置適配的檢測元件與布局方案。對于高精度溫區，采用高靈敏度溫度傳感器，均勻布置于溫區關鍵位置，實時采集多點溫度數據，通過數據結合技術計算溫區平均溫度與局部偏差；對于寬溫度范圍溫區，選擇寬量程檢測元件，確保在溫度劇烈變化時仍能保持檢測穩定性。此外，定期對檢測元件進行校準，確保各溫區檢測值與實際溫度的偏差控制在工藝允許范圍內。
二、動態控溫系統的多溫區協同控制方法
半導體工藝設備的多段溫區常存在連接關系，溫度調整可能影響相鄰溫區，動態控溫系統需通過協同控制算法與執行機構聯動，實現多溫區準確調控。在控制算法方面，采用多變量控制策略，將各溫區溫度作為單獨控制變量，同時考慮溫區間的連接效應，建立關聯控制模型。對于需同步調整的多溫區，采用同步控制算法，確保各溫區按照預設速率同時升降溫，避免因溫區調整不同步導致器件應力集中。
執行機構的協同調度是實現多溫區控制的關鍵，動態控溫系統需根據各溫區的熱負荷需求，合理分配加熱、制冷與介質循環。在加熱調控上，采用分區加熱方式，將加熱器劃分為多個單元，針對不同溫區的升溫需求，避免局部過熱；在制冷調控上，通過調節電子膨脹閥開度、壓縮機運行參數，準確控制各溫區的制冷量，尤其在高溫向低溫切換的溫區，需動態調整制冷速率，防止溫度驟降對器件造成損傷。
